Mezzo ponte ad alta densità di potenza GaN GANSPIN611

Il mezzo ponte ad alta densità di potenza GaN GANSPIN611 di STMicroelectronicsè un SiP di alimentazione avanzato che integra due transistori GaN in modalità di miglioramento in una configurazione a mezzo ponte pilotati da un driver di gate ad alta tensione e alta frequenza all'avanguardia. I GaN di potenza integrati hanno un RDS(ON) di 138 mΩ e una tensione di rottura drain-source di 650 V, mentre il diodo bootstrap integrato può facilmente alimentare la parte alta del driver di gate integrato.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Tipo
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Package/involucro
Confezione
STMicroelectronics Controller e driver per motori/moto/accensione 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
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990In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Half-bridge Driver Half-bridge with High-voltage Driver 10 A 900 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT QFN-35 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Controller e driver per motori/moto/accensione 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
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Min: 1
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