Ponte di potenza GaN ad alta densità GANSPIN611

La half-bridge ad alta densità di potenza GANSPIN611 di STMicroelectronics è un avanzato sistema di alimentazione integrato in un unico package che integra due transistori GaN in modalità di miglioramento in una configurazione half-bridge, comandati da un driver di gate ad alta frequenza e ad alta tensione di ultima generazione. I GaN di potenza integrati hanno un RDS_(ON) di 138 mΩ e una tensione di rottura drain-source di 650 V, mentre il diodo bootstrap integrato può facilmente alimentare la parte alta del driver di gate integrato.