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EPC2302

Name: EPC EPC2302
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2302
Price: 7.67 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

65-EPC2302

N. produttore:

EPC2302

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

EPC2302 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	23 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Tecnologia:	GaN
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	31,300 mg

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Scheda dati

EPC2302 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN^® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	7,67 €	7,67 €
	4,25 €	42,50 €
	3,90 €	390,00 €
	3,84 €	1.920,00 €
	3,41 €	3.410,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	3,10 €	9.300,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

EPC2302

Produttore: EPC

Descrizione: GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Caratteristiche tecniche

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