SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
7 A
82.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
14.3 nC
- 55 C
+ 175 C
4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Vishay / Siliconix
Tempo di caduta: 3 ns
Transconduttanza diretta - Min: 15 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 4 ns
Serie: SQ
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: TrenchFET Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico: 17 ns
Tipico ritardo di accensione: 8 ns
Peso unità: 750 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

MOSFET a canale N doppio automatico SQ4946CEY

Il MOSFET a canale N doppio automatico SQ4946CEY di Vishay / Siliconix offre una tensione drain-source di 60 VDS, una dispersione gate-source di ±100 nA e una capacità di ingresso massima di 865 pF. Questo MOSFET presenta la potenza TrenchFET® ed è ideale per applicazioni nel settore automobilistico. Il MOSFET a canale N doppio automatico SQ4946CEY di Vishay / Siliconix è conforme alle qualifiche AEC-Q101, testato al 100% Rg e UIS, ha la conformità a RoHS ed è senza alogeni.

MOSFET di potenza automobilistici SQ Vishay Siliconix

I MOSFET di potenza automobilistici SQ Vishay Siliconix sono MOSFET di potenza con qualifica AEC-Q101 prodotti utilizzando una progettazione speciale, ottimizzata per l'eccellenza nel settore automobilistico. Caratterizzati da tecnologie TrenchFET® a canale N e P a bassa resistenza in conduzione, i MOSFET di potenza automobilistici Vishay sono tarati per una temperatura di giunzione massima di 175 °C. I package includono TO-262, D2PAK (TO-263) e DPAK nonché diverse opzioni small-outline che consentono di risparmiare spazio. Ad esempio, il PowerPAK® SO-8L, da 5,13 mm x 6,15 mm x 1,07 mm, è grande la metà di un DPAK ma fornisce la stessa resistenza in conduzione e resistenza termica fino a 1,5 °C/W. Ancora più piccolo (3,3 mm x 3,3 mm x 1,04 mm), il PowerPAK 1212-8 fornisce una resistenza in conduzione simile al SO-8 ma è grande circa 1/3, con resistenza termica di 2,4 °C/W. La serie SQ include anche dispositivi in package piccoli come TSOP-6, SOT-23, e i minuscoli SC-70 e PowerPAK SC-70 da 2 mm x 2 mm.
Maggiori informazioni

Convertitori CC/CC da 48 V

I convertitori CC/CC da 48 V Vishay sono utilizzati nei prodotti che devono rimanere a carico della batteria da 12 V mentre la batteria da 48 V viene utilizzata nei veicoli. Questi convertitori possono ridurre di 48 V-12 V, quindi il convertitore è un'applicazione significativa per le auto future. Sono possibili diverse topologie con questi dispositivi, come gli induttori accoppiati multifase e non accoppiati. Vishay offre un ampio portafoglio di soluzioni con dispositivi standard come MOSFET, diodi, resistori, condensatori, induttori e soluzioni magnetiche personalizzate.