IGBT Trench XPT™ da 1200 V con diodi Sonic - Littelfuse | Mouser

I transistor bipolari a gate isolato Trench XPT™ (IGBT) da 1200 V Littelfuse con diodi Sonic sono sviluppati utilizzando la tecnologia a wafer sottile XPT e i processi IGBT a trincea. I transistor presentano una resistenza termica ridotta e sono ottimizzati per una bassa perdita di commutazione. Gli IGBT Trench XPT da 1200 V Littelfuse con diodi Sonic offrono un'elevata capacità di gestione della corrente, alta densità di potenza e un diodo sonic anti-parallelo. Questi transistor Trench XPT sono ideali per inverter di potenza, unità motore, circuito di correzione del fattore di potenza (PFC) e applicazioni di caricabatterie.