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SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 0.46 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SI3493DDV-T1-GE3

N. produttore:

SI3493DDV-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

Scheda dati:

SI3493DDV-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,464 €	0,46 €
	0,28 €	2,80 €
	0,177 €	17,70 €
	0,134 €	67,00 €
	0,12 €	120,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,105 €	315,00 €
	0,095 €	570,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSOP-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	20 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	52.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.6 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	40 ns
Transconduttanza diretta - Min:	30 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	20 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	115 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Peso unità:	20 mg

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Scheda dati

SI3493DDV-T1-GE3 Scheda dati

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET delivers low on-resistance of 0.05Ω (maximum) at -1.8V_GS. This power MOSFET is available in a single-configuration TSOP-6 package size. Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications, including load switches, battery switches, PA switches, and battery management in mobile devices.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.