Inductors for Decoupling Circuits

TDK Inductors for Decoupling Circuits include several product families that serve different types of applications. Among these application types are engine control models, automotive (including advanced driver assistance), smart meters, AV equipment, xDSL, vehicle accessories, and industrial electronic devices. Select models within this family of inductors provide high reliability in harsh conditions, withstanding temperatures up to 150°C. The TDK inductors feature unique construction options, including soft termination technology, resin molds, and more. TDK Inductors for Decoupling Circuits are available in several package sizes, with various levels of resistance and rated currents. 

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Risultati: 368
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 0.16ohms 690mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
Scheda dati
5.445A magazzino
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3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 47uH 1.64ohms 180mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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8.385A magazzino
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47 uH 10 % 180 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 260mohms 620mA Wound Ferrite
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6.489A magazzino
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4.7 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 0.2ohms 620mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
Scheda dati
325A magazzino
2.00004/03/2026 previsto
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4.7 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 351mohms 530mA Wound Ferrite
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4.967A magazzino
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6.8 uH 20 % 530 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 0.27ohms 530mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
Scheda dati
2.197A magazzino
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6.8 uH 20 % 530 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 348mohms 700mA 125C Wound Ferrite
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1.249A magazzino
14.00004/03/2026 previsto
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6.8 uH 20 % 530 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 100nH 24mohms 2.85A 125C Wound Ferrite
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2.186A magazzino
6.00004/03/2026 previsto
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100 nH 20 % 2.85 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 150nH 28.8mohms 2.6A 125C Wound Ferrite
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4.857A magazzino
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150 nH 20 % 2.6 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 220nH 32.4mohms 2.4A 125C Wound Ferrite
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4.426A magazzino
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220 nH 20 % 2.4 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 330nH 42mohms 2.1A 125C Wound Ferrite
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5.408A magazzino
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330 nH 20 % 2.1 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 680nH 54mohms 1.9A 125C Wound Ferrite
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1.838A magazzino
4.00009/03/2026 previsto
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680 nH 20 % 1.9 A SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 0.055ohm 1.7A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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6.222A magazzino
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1 uH 20 % 1 A SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 0.095ohms 1.4A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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7.193A magazzino
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1.5 uH 20 % 830 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 0.115ohm 1.2mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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12.300A magazzino
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2.2 uH 20 % 770 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 0.16ohms 1.0mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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2.571A magazzino
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3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 0.29ohms 700mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
Scheda dati
4.641A magazzino
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6.8 uH 20 % 530 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0.15uH 0.024ohm 2.6A 3.2x2.5mm AEC-Q200
Scheda dati
2.245A magazzino
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150 nH 20 % 2.6 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0.22uH 0.027ohm 2.4A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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3.964A magazzino
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220 nH 20 % 2.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0.33uH 0.035ohm 2.1A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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1.636A magazzino
2.00004/03/2026 previsto
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330 nH 20 % 2.1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0.68uH 0.045ohm 1.9A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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488A magazzino
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680 nH 20 % 1.9 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori di potenza - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 1 H, 221mO
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13.315A magazzino
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1 uH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori di potenza - SMD 2.2uH
Scheda dati
2.820A magazzino
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2.2 uH SMD/SMT
TDK Induttori di potenza - SMD 10uH
Scheda dati
854A magazzino
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10 uH SMD/SMT
TDK Induttori di potenza - SMD 2.2 UH 20%
Scheda dati
2.611A magazzino
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Nastrati: 4.000

2.2 uH 20 % 160 mA SMD/SMT + 125 C