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NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 146.53 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-H008T120M3F2PTHG

N. produttore:

NXH008T120M3F2PTHG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Scheda dati:

NXH008T120M3F2PTHG Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	146,53 €	146,53 €
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100	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Press Fit
Package/involucro:	PIM-29
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	129 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Confezione:	Tray
Marchio:	onsemi
Tempo di caduta:	15 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	20.6 ns
Quantità colli di fabbrica:	20
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	EliteSiC
Ritardo di spegnimento tipico:	137 ns
Tipico ritardo di accensione:	41.5 ns
Vf - Tensione diretta:	4.8 V

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Scheda dati

NXH008T120M3F2PTHG Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modulo al carburo di silicio (SiC) NXH008T120M3F2PTHG

Il modulo al carburo di silicio (SiC) NXH008T120M3F2PTHG di onsemi è un modulo convertitore di blocco a punto neutro (TNPC) di tipo T basato sui MOSFET SiC planare M3S 1200 V. L'NXH008T120M3F2PTHG è ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di pilotaggio negativa del gate e con picchi di spegnimento sul gate. Questo modulo presenta prestazioni ottimali quando è pilotato con un gate drive da 20 V, ma funziona anche con un gate drive da 18 V.

MOSFET EliteSiC M3S

I MOSFET EliteSiC M3S di onsemi sono soluzioni per applicazioni di commutazione ad alta frequenza che utilizzano topologie hard-switch. I MOSFET M3S onsemi sono progettati per ottimizzare prestazioni ed efficienza. Il dispositivo presenta una notevole riduzione del 40% circa delle perdite di commutazione totali (Etot) rispetto ai corrispondenti M1 da 1.200 V e 20 mΩ. I MOSFET M3S EliteSiC sono perfettamente adatti per varie applicazioni, inclusi i sistemi di energia solare, i caricatori di bordo e le stazioni di carica per veicoli elettrici (EV).

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.