RGW00TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11

Produttore:

Descrizione:
IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
45 A
89 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marchio: ROHM Semiconductor
Corrente di perdita gate-emettitore: 200 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 450
Sottocategoria: IGBTs
Alias n. parte: RGW00TK65D
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

Gli IGBT Trench Field Stop RGW 650 V di ROHM Semiconductor offrono una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore in un piccolo package. Gli IGBT RGW presentano commutazione ad alta velocità, bassa perdita di commutazione e FRD a recupero progressivo e molto rapido integrati. Gli IGBT Trench Field Stop RGW 650 V ROHM sono ideali per inverter solari, UPS, saldatura, IH e applicazioni PFC.