RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

Gli IGBT Trench Field Stop RGW 650 V di ROHM Semiconductor offrono una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore in un piccolo package. Gli IGBT RGW presentano commutazione ad alta velocità, bassa perdita di commutazione e FRD a recupero progressivo e molto rapido integrati. Gli IGBT Trench Field Stop RGW 650 V ROHM sono ideali per inverter solari, UPS, saldatura, IH e applicazioni PFC.

Risultati: 51
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
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2.394A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
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2.388A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
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2.387A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
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443A magazzino
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SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 81 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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450A magazzino
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
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448A magazzino
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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2.400A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
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2.400A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
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2.400A magazzino
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
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SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube