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CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 67.36 EUR
Availability: OutOfStock

N. Mouser:

941-CGHV27030S

N. produttore:

CGHV27030S

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Scheda dati:

CGHV27030S Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	67,36 €	67,36 €
	54,38 €	543,80 €
	48,60 €	4.860,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	48,60 €	12.150,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-12
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	3.6 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	12 W
Marchio:	MACOM
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	US
Guadagno:	21 dB
Tensione drain-gate massima:	50 V
Frequenza di lavoro massima:	2.7 GHz
Frequenza di lavoro minima:	0 Hz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	30 W
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V
Peso unità:	282,130 mg

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Scheda dati

CGHV27030S Scheda dati (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.