CGHV27030S

MACOM
941-CGHV27030S
CGHV27030S

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Modello ECAD:
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MACOM
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
DFN-12
N-Channel
150 V
3.6 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
12 W
Marchio: MACOM
Configurazione: Single
Guadagno: 21 dB
Tensione drain-gate massima: 50 V
Frequenza di lavoro massima: 2.7 GHz
Frequenza di lavoro minima: 0 Hz
Sensibili all’umidità: Yes
Potenza di uscita: 30 W
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Tipo di prodotto: GaN FETs
Quantità colli di fabbrica: 250
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Tipo di transistor: GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source: - 10 V, 2 V
Peso unità: 282,130 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.