MOSFET di potenza OptiMOS™ Fast Diode (FD)

I dispositivi OptiMOS™ Fast Diode (FD) sono i MOSFET di potenza a canale N di ultima generazione nelle versioni a 200 V e 250 V di Infineon. Questi dispositivi OptiMOS FD di Infineon sono caratterizzati da ridotto Qrr, resistenza in tensione molto bassa e temperatura di funzionamento di 175 ºC. Questi MOSFET OptiMOS FD di Infineon sono ottimizzati per la commutazione dura del diodo del corpo e sono ideali per applicazioni come telecomunicazioni, alimentatori industriali, amplificatori audio di classe D, controllo motori e invertitori CA/CC.
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