MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS3D6N10MCL
Il MOSFET di potenza a canale singolo N NVMFS3D6N10MCL di onsemi è concepito per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET presenta bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e bassi QG/capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NVMFS3D6N10MCL è certificato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Questo MOSFET di onsemi è disponibile in un piccolo package DFN5 a conduttori piatti da 5 mm x 6 mm. Le applicazioni tipiche includono sistemi da 48 V, alimentatori di commutazione, interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side e ponti H) e protezione contro l'inversione della batteria.
