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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

781-SIA427DJ-T1-GE3

N. produttore:

SIA427DJ-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Scheda dati:

SIA427DJ-T1-GE3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,929 €	0,93 €
	0,664 €	6,64 €
	0,413 €	41,30 €
	0,285 €	142,50 €
	0,253 €	253,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,215 €	645,00 €
	0,184 €	1.104,00 €
	0,171 €	1.539,00 €
	0,154 €	3.696,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SC-70-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	8 V
Id - corrente di drain continua:	12 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	95 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	800 mV
Qg - Carica del gate:	50 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	19 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	SIA427DJ-GE3
Peso unità:	11,688 g

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Scheda dati

SIA427DJ-T1-GE3 Scheda dati (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET^® Power MOSFETs have the lowest on-resistance for a p-channel device in the thermally enhanced PowerPAK® SC-70 2mm by 2mm footprint area. The on-resistance of the SiA427DJ is up to 47% lower than the closest competing p-channel device. The 1.2V low on-resistance rating of SiA427DJ TrenchFET power MOSFETs makes them ideal for low bus voltages.