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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Moduli IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36A magazzino
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Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Moduli IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36A magazzino
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IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Moduli IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 72Disponibile a magazzino presso produttore
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SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray