MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Scheda dati
121A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 150
Mult.: 150
Nastrati: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel