Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

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Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN Epitaxial Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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24.00011/05/2026 previsto
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN

Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT TRANS-SS NPN SOT323 120V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistor bipolari - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 PNP

Toshiba Transistor bipolari - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 PNP
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistor bipolari - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP
Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN

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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN

Toshiba Transistor bipolari - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Transistor bipolari - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP
Toshiba Transistor bipolari - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP

Toshiba Transistor bipolari - BJT BJT NPN 0.15A 50V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Transistor bipolari - BJT BJT PNP -0.15A -50V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN