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MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

637-MMFTP6312D

N. produttore:

MMFTP6312D

Produttore:

Diotec Semiconductor

Descrizione:

MOSFET MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Scheda dati:

MMFTP6312D Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,344 €	0,34 €
	0,212 €	2,12 €
	0,133 €	13,30 €
	0,10 €	50,00 €
	0,089 €	89,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,067 €	201,00 €
	0,057 €	513,00 €
	0,054 €	1.296,00 €
	0,052 €	2.340,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diotec Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-26-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	2.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	115 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	4.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	960 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Diotec Semiconductor
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13 ns
Serie:	MMFTN/P
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns

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Scheda dati

MMFTP6312D Scheda dati (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.