MMFTP6312D

Diotec Semiconductor
637-MMFTP6312D
MMFTP6312D

Produttore:

Descrizione:
MOSFET MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diotec Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-26-6
P-Channel
2 Channel
20 V
2.3 A
115 mOhms
- 8 V, 8 V
1.5 V
4.4 nC
- 55 C
+ 150 C
960 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: Diotec Semiconductor
Configurazione: Dual
Tempo di caduta: 8 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 13 ns
Serie: MMFTN/P
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 18 ns
Tipico ritardo di accensione: 8 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

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