Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NTMTS0D7N04CTXG

N. produttore:

NTMTS0D7N04CTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

Scheda dati:

NTMTS0D7N04CTXG Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NTMTS0D7N04CTXG

A magazzino: 1.617

A magazzino:: 1.617 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 13 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,20 €	3,20 €
	2,10 €	21,00 €
	1,47 €	147,00 €
	1,30 €	650,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,21 €	3.630,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFNW-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	420 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	670 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	140 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	205 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	200 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18.1 ns
Serie:	NTMTS0D7N04C
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	61 ns
Tipico ritardo di accensione:	28.9 ns
Peso unità:	319,280 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NTMTS0D7N04CTXG Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

MOSFET di potenza a canale N 40 V NTMTS0D7N04C

Il MOSFET di potenza a canale N 40 V NTMTS0D7N04C di onsemi è prodotto con l'avanzato processo Power Trench di onsemi che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo minimizza resistenza in stato attivo mantenendo prestazioni di commutazione superiori con un diodo soft body all'avanguardia. NTMTS0D7N04C di onsemi offre una corrente di drain continua di 420 A (I_D) e una bassa resistenza di drain-to-source (R_DS(on) di 0,67 mΩ (max.).