driverDriver IGBT e MOSFET SiC a valle IX4352NE 9 A

I driver di porta IGBT e MOSFET SiC a valle IX4352NE da 9 A di IXYS sono progettati per azionare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza e presentano uscite sorgente e dissipatore da 9 A separate, consentendo tempi di accensione e spegnimento personalizzati riducendo al minimo le perdite di commutazione. Un regolatore di carica negativa interno fornisce una polarizzazione negativa del gate selezionabile dall'utente per migliorare l'immunità ai dV/dt e accelerare lo spegnimento. I circuiti di rilevamento della desaturazione rilevano una condizione di sovracorrente del MOSFET SiC e avviano uno spegnimento graduale, impedendo un evento dV/dt potenzialmente dannoso. L’ingresso logico non di inversione è compatibile con TTL e CMOS e i traslatori di livello interni forniscono la polarizzazione necessaria per supportare tensioni di polarizzazione del gate drive negative. Le protezioni includono anche il rilevamento del blocco della sottotensione (UVLO) ed esclusione termica. Un'uscita FAULT a drain aperto segnala una condizione di guasto al microcontrollore. I moduli IX4352NE di XYS sono disponibili in un package SOIC stretto a 16 pin termicamente avanzato.