MOSFET di potenza CoolMOS™ CE

I MOSFET di potenza CoolMOS™ CE di Infineon sono una piattaforma tecnologica di MOSFET di potenza ad alta tensione progettati secondo il principio Super Junction (SJ) e pensati per soddisfare le esigenze dei consumatori. Il portafoglio di prodotti CoolMOS™ CE offre dispositivi a 500 V, 600 V e 650 V per l'impiego in caricabatterie a basso consumo per dispositivi mobili e utensili elettrici, adattatori per notebook e computer portatili, TV LCD, TV LED e illuminazione a LED. Questa nuova serie di CoolMOS™ è ottimizzata in termini di costi per soddisfare le esigenze tipiche di consumo senza compromettere la comprovata qualità e affidabilità CoolMOS™ a un prezzo vantaggioso.
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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP 375A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP 6A magazzino
1.44026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP 94A magazzino
24009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP 11A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP 121A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3 198A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
20705/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
88809/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3 Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3 Tempo di consegna, se non a magazzino 11 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP Tempo di consegna 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 240
Mult.: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube