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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIA436DJ-T1-GE3

N. produttore:

SIA436DJ-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Scheda dati:

SIA436DJ-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,536 €	5,36 €
	0,35 €	35,00 €
	0,27 €	135,00 €
	0,244 €	244,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,215 €	645,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SC-70-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	8 V
Id - corrente di drain continua:	12 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9.4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	350 mV
Qg - Carica del gate:	15 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	19 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET, PowerPAK
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	70 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	SIA
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	30 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Alias n. parte:	SIA436DJ-GE3
Peso unità:	1 g

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Scheda dati

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PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.