Gate driver IGBT a doppio canale isolati NCx575x0

I gate driver IGBT a doppio canale isolati NCx575x0 presentano un isolamento galvanico internoRMS 5 kV dall'ingresso a ciascuna uscita e un isolamento funzionale tra i due canali di uscita. Il NCx575x0 raggiunge livelli di tensione di polarizzazione da 3,3 V a 20 V sul lato di ingresso e tensione di polarizzazione fino a 32 V sul lato di uscita.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Serie Stile di montaggio Package/involucro Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Ritardo propagazione - Max Tempo di salita Tempo di caduta Confezione
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance 951A magazzino
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NCD57540 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C 1.06 W 90 ns 12 ns 10 ns Reel, Cut Tape
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance 990A magazzino
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NCD57540 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C 1.06 W 90 ns 12 ns 10 ns Reel, Cut Tape
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance 1.000A magazzino
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NCD57540 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C 1.06 W 90 ns 12 ns 10 ns Reel, Cut Tape
onsemi Gate driver isolati galvanicamente Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance 1.000A magazzino
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NCD57540 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C 1.06 W 90 ns 12 ns 10 ns Reel, Cut Tape