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UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 58.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-UF3N120007K4S

N. produttore:

UF3N120007K4S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

JFET UF3N120007K4S

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

UF3N120007K4S Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	JFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Configurazione:	Single
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 30 V to 30 V
Corrente drain-source a Vgs=0:	20 uA
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.1 mOhms
Pd - Dissipazione di potenza:	789 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	UF3N
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	JFETs
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

UF3N120007K4S Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor a canale N JFET 1200 V UF3N120007K4S

Il transistor a canale N JFET EliteSic 1200 V UF3N120007K4S di onsemi è un transistor JFET SiC Gen 3 normalmente acceso, ad alte prestazioni, 1200 V e 7,1 mΩ. Questo dispositivo presenta una resistenza in conduzione [R_DS(ON)] ultra-bassa in un package TO247-4, il che lo rende ideale per affrontare i difficili vincoli termici degli interruttori di circuito a stato solido e delle applicazioni di relè. L'UF3N120007K4SJFET di onsemi è una tecnologia robusta capace di commutare l'alta energia richiesta nelle applicazioni di protezione del circuito.