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NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFD5C672NLT1G

N. produttore:

NTMFD5C672NLT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

Scheda dati:

NTMFD5C672NLT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,15 €	1,15 €
	0,725 €	7,25 €
	0,48 €	48,00 €
	0,375 €	187,50 €
	0,323 €	323,00 €
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	0,297 €	445,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8FL-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	49 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	11.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	12.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	28 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns

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Scheda dati

NTMFD5C672NLT1G Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a doppio canale N NTMFD5C672NL

Il MOSFET di potenza a canale N doppio NTMFD5C672NL di onsemi è progettato per design compatti ed efficienti, comprese alte prestazioni termiche. Questo MOSFET presenta basso R_{DS (on)}, basso QG e capacità, tensione drain-source di 60 V, corrente di drain a impulsi di 146 A e intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a 175 °C. Il MOSFET di potenza a canale N doppio NTMFD5C672NL è privo di piombo e alogeni/BFR e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono controllo motore, interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso e mezzo ponte), regolatore CC-CC sincrono e gestione e protezione della batteria.