MOSFET di tipo trench DFN0606

I MOSFET a trincea DFN0606 di Nexperia sono progettati per utilizzare la tecnologia MOSFET a trincea per fornire bassa tensione di soglia e commutazione molto rapida. Questi MOSFET di Nexperia presentano protezione da scariche elettrostatiche (ESD) e sono disponibili in   un package in plastica a montaggio superficiale (SMD) ultra-piccolo senza piombo DFN0606-3 (SOT8001). Le applicazioni tipiche includono telefoni cellulari, dispositivi indossabili e portatili, accessori per telefoni cellulari, cuffie, auricolari e apparecchi acustici.

Risultati: 11
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 50V .38A 190A magazzino
20.00026/10/2026 previsto
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 P-CH 30V .52A 664A magazzino
40.00004/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 P-CH 30V .6A 6.575A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 600 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 60V .38A
29.62426/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 60V .35A
39.52720/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 20V 1.2A
9.69220/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 10.000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 310 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 630 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 30V .77A
9.90008/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 P-CH 20V .8A
29.929In ordine
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 640 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 20V .8A
30.00008/02/2027 previsto
Min: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 P-CH 20V .53A
19.805In ordine
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8001 N-CH 30V .9A
20.00004/05/2026 previsto
Min: 1
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 900 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 620 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel