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CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 1021.54 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CGHV38375F

N. produttore:

CGHV38375F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Scheda dati:

CGHV38375F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440226
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	125 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Marchio:	MACOM
Guadagno:	11 dB
Frequenza di lavoro massima:	3.75 GHz
Frequenza di lavoro minima:	2.75 GHz
Potenza di uscita:	400 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900

IM da 400 W CGHV38375F su transistor SiC

Il GaN abbinato internamente da 2,75 GHz a 3,75 GHz da 400 W CGHV38375F di Wolfspeed sul transistor SiC (IM-FET) offre 400 W di HPA abbinato a 50 Ohm alle le porte di ingresso e uscita. La CGHV38375F opera da 2,75 GHz a 3,75 GHz espandendo la copertura sull'intera banda S del radar.