FET GaN da 50 mΩ a 600 V LMG342xR050

I FET GaN LMG342xR050 da 600 V 50 mΩ di Texas Instruments con driver e protezione integrati consentono ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza ed efficienza nei sistemi elettronici di potenza. Il LMG342XR050 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150 V/ns. La polarizzazione di precisione integrata del gate di TI comporta una SOA di commutazione più elevata rispetto ai gate driver discreti in silicio. Questa integrazione, combinata con il pacchetto a bassa induttanza di TI offre una commutazione pulita e un ringing minimo nelle topologie di alimentazione a commutazione dura. La forza di pilotaggio del gate regolabile consente di controllare la velocità di risposta da 20 V/ns a 150 V/ns, che può essere utilizzata per controllare attivamente le EMI e ottimizzare le prestazioni di commutazione.