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MAVR-011020-14110P

Name: MACOM MAVR-011020-14110P
Brand: MACOM
SKU: 937-MAVR01102014110P
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

937-MAVR01102014110P

N. produttore:

MAVR-011020-14110P

Produttore:

MACOM

Descrizione:

Diodi varactor Ct Max .275pF -40C +125C

Scheda dati:

MAVR-011020-14110P Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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A magazzino: 2.990

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,79 €	3,79 €
	2,65 €	26,50 €
	2,28 €	228,00 €
	2,23 €	1.115,00 €
	2,18 €	2.180,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	2,17 €	6.510,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	Diodi varactor
RoHS::
Capacità:	0.275 pF
Vr - Tensione inversa:	18 V
If - Corrente diretta:	1 mA
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Stile di terminazione:	SMD/SMT
Package/involucro:	FlipChip
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Configurazione:	Single
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	MACOM
Prodotto:	General Purpose Diodes
Tipo di prodotto:	Varactor Diodes
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Peso unità:	31,400 mg

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Scheda dati

MAVR-011020-14110P Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

EU RoHS Directive Statement (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100060
JPHTS:: 853669000
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 85366999
BRHTS:: 85366990
ECCN:: EAR99

MAVR-011020-1411 Flip-Chip Varactor Diode

MACOM MAVR-011020-1411 Flip-Chip Varactor Diode is a gallium arsenide hyper abrupt device with constant Gamma for linear tuning. The MAVR-011020-1411 from MACOM is fabricated on OMCVD epitaxial wafers using a process designed for high device uniformity and extremely low parasitics. This diode is fully passivated with silicon nitride with an additional polyimide layer for scratch protection. The protective coatings prevent damage to the junction during automated or manual handling. The flip-chip configuration is suitable for pick and place insertion.