MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

I MOSFET di potenza a canale N RH7G04 da 40 V di ROHM Semiconductor sono MOSFET per il settore automobilistico con tensione drain-source (VDSS) di 40 V e corrente drain continua (ID) di ±40 A, certificati AEC-Q101. Questi MOSFET presentano una bassa resistenza drain-source nello stato attivo [RDS(ON)] e sono disponibili in un contenitore DFN-8 (DFN3333T8LSAB) da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET RH7G04 della ROHM Semiconductor sono ideali per sistemi avanzati di assistenza al conducente (ADAS), applicazioni di informazione, illuminazione e carrozzeria.