Diodi a barriera Schottky a VF ultrabassa serie RBS1
I diodi a barriera Schottky serie RBS1 di ROHM Semiconductor sono diodi a stampo a bassa potenza con corrente diretta rettificata da 1 A (IO) e tensione diretta inversa di 20 V (VR). Questi diodi sono prodotti utilizzando una costruzione di tipo planare epitassiale in silicio e sono alloggiati in package PMDTM (SOD-128) o PMDU (SC-109 B). I diodi a barriera RBS1 di ROHM Semiconductor offrono VF ultrabassa, alta affidabilità e operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a +125 °C. Questi diodi a barriera Schottky sono ideali per il raddrizzamento generale.
