MOSFET NTMFSC PowerTrench®

I MOSFET NTMFSC PowerTrench® di onsemi offrono una bassa RDS(on), mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione grazie a una resistenza termica giunzione-ambiente estremamente bassa (θJA). Questo è possibile grazie ai progressi delle tecnologie di package in silicio e Dual Cool™. Questi MOSFET PowerTrench di onsemi sono disponibili in packaging DFN-8 100% testati UIL e conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono raddrizzatori CA-CC sincroni, alimentatori, MOSFET primario su convertitori isolati da 48 V e convertitori CC-CC isolati.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm 2.398A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 136 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFSC010N08M7
onsemi MOSFET MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC 2.045A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 61 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 78.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm 2.660A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 116 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape