MOSFET di potenza NVTFS014P04M8L

I MOSFET di potenza NVTFS014P04M8L Onsemisono MOSFET a canale p singolo di -40 V e -49 A, con bassa RDS(on) e capacità elettrica per minimizzare le perdite di conduzione e driver. I MOSFET di potenza NVTFS014P04M8L Onsemisono disponibili in un ingombro di 3,3 mm × 3,3 mm per una progettazione compatta. I MOSFET di potenza sono qualificati AEC-Q101 e capaci di PPAP. Le applicazioni tipiche includono la protezione della batteria, il controllo del motore, gli interruttori di potenza, gli alimentatori di commutazione, gli interruttori di carico e i driver a solenoide.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM 14.988A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM 5.948A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel