NVMFWS0D45N04XMT1G

onsemi
863-MFWS0D45N04XMT1G
NVMFWS0D45N04XMT1G

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
469 A
450 uOhms
20 V
3.5 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 5 ns
Transconduttanza diretta - Min: 278 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 17 ns
Quantità colli di fabbrica: 1500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 46 ns
Tipico ritardo di accensione: 11 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NVMFWS0D45N04XM

Il MOSFET Onsemi NVMFWS0D45N04XM è un MOSFET a gate STD singolo, a canale N, in un package SO8FL. Il dispositivo presenta una tensione drain-to-source di 40 V, una corrente di drain continua di 469 A ed è qualificato AECQ101. Il MOSFET onsemi NVMFWS0D45N04XM minimizza le perdite del driver e di conduzione con bassa capacità elettrica e RDS(on). Il NVMFWS0D45N04XM è disponibile con un ingombro ridotto di 5 mm x 6 mm ed è ideale per l'unità di azionamento motore, la protezione della batteria e il raddrizzamento sincrono.