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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Scheda dati
3.852A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Scheda dati
2.513A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Scheda dati
506A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Scheda dati
604A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Scheda dati
205A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Scheda dati
211A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2
Scheda dati
918A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Scheda dati
584A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Scheda dati
1.025A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
Scheda dati
421A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Scheda dati
391A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Scheda dati
68A magazzino
1.00016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Scheda dati
30A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
87A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
Scheda dati
317A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
260A magazzino
24016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2
Scheda dati
1.679A magazzino
2.50009/04/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3
Scheda dati
435A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Scheda dati
211A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Scheda dati
201A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel