60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si 60 V 11.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC AEC-Q101 Reel