Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package. 

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A 8.124A magazzino
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Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 20.5 A 7.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 9.185A magazzino
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 281A magazzino
15.000In ordine
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 29 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 129 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1.849A magazzino
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 260 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel