HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x

Gli HEMT GaN GNP2x da 650 V in modalità di accrescimento di ROHM Semiconductor sono progettati per applicazioni ad alta efficienza nella conversione di potenza. Questi transistori ad alta mobilità elettronica (HEMT) presentano una tensione di rottura elevata e una bassa carica di gate. Gli HEMT GaN GNP2x offrono alta efficienza, elevata densità di potenza e capacità di commutazione rapida. Questi HEMT GaN presentano una tensione transitoria gate-source di 8,5 V e funzionano in un intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e 150 °C. Le applicazioni tipiche includono convertitori ad alta frequenza di commutazione e ad alta densità.