HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x

I transistor HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) GaN in modalità di arricchimento GNP2x da 650 V di ROHM Semiconductor sono progettati per applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni. Questi moduli presentano un'elevata tensione di rottura e una bassa carica di gate. La serie GNP2x offre elevata efficienza, alta densità di potenza e capacità di commutazione rapide. I transistor HEMT GaN di ROHM presentano una tensione transitoria gate-source di 8,5 V e funzionano nell'intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e +150 °C. Le applicazioni tipiche includono convertitori ad alta frequenza di commutazione e ad alta densità.