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NVTFWS003N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS003N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS003N04XMTAG
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VTFWS003N04XMTAG

N. produttore:

NVTFWS003N04XMTAG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NVTFWS003N04XMTAG Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,35 €	1,35 €
	0,847 €	8,47 €
	0,562 €	56,20 €
	0,444 €	222,00 €
	0,401 €	401,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,366 €	549,00 €
	0,33 €	990,00 €
	0,321 €	2.889,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WDFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	98 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	52 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	44 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	NVTFWS003N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	9 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns

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Scheda dati

NVTFWS003N04XMTAG Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVTFWS003N04XM

Il MOSFET NVTFWS003N04XM di onsemi offre una bassa R_DS(on) e una capacità elettrica in un package qualificato AEC-Q101. Il MOSFET ha una tensione drain-to-source di 40 V, una corrente di drain continua di 98 A e una resistenza drain-to-source di 2,85 mΩ a 10 V. Il MOSFET NVTFWS003N04XM di onsemi è disponibile in un package µ8FL di piccolo ingombro 3,3 mm x 3,3 mm ed è ideale per applicazioni di unità di azionamento motore, protezione della batteria e raddrizzamento sincrono.