Moduli CoolSiC™ da 1200 V

I moduli CoolSiC™ da 1200 V di Infineon Technologies sono moduli MOSFET in carburo di silicio (SiC) che offrono buoni livelli di efficienza e flessibilità di sistema. Questi moduli presentano la tecnologia di contatto PressFIT e NTC. I moduli CoolSiC offrono un'alta densità di corrente e un design a bassa induttanza e sono i migliori nella categoria di perdite di commutazione e di conduzione. Le caratteristiche includono il funzionamento ad alta frequenza, una maggiore densità di potenza e un ciclo di sviluppo ottimizzato in termini di costi e tempi.

Tipi di Semiconduttori discreti

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY 19A magazzino
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MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies Moduli MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 16A magazzino
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MOSFET Modules Si SMD/SMT

Infineon Technologies Moduli MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 36A magazzino
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MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET 2A magazzino
1026/03/2026 previsto
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Discrete Semiconductor Modules SiC Stud Mount
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY PACK SIC 59A magazzino
4814/07/2026 previsto
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MOSFET Modules SiC Press Fit


Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 22A magazzino
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Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Moduli a diodo 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module 22A magazzino
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Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
30In ordine
Min: 1
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MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
113/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Raddrizzatori THYR / DIODE MODULE DK Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
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Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti HYBRID PACK DRIVE G1 SIC Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
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Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies Moduli IGBT HYBRID PACK DRIVE G1 SIC Tempo di consegna, se non a magazzino 44 settimane
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Mult.: 12

IGBT Modules SiC, Si