Emettitori IR VSMG10850 e VSMB10940 e fotodiodi PIN al silicio VEMD10940F

Gli emettitori IR VSMG10850/VSMB10940 e i fotodiodi PIN al silicio VEMD10940F di Vishay Semiconductors sono emettitori ad alta velocità 850 nm ed emettitori a infrarossi 940 nm e fotodiodo pin al silicio ad alta velocità abbinati a un contenitore con elevata sensibilità radiante da 780 nm a 1050 nm. I modelli VSMG10850, VSMB10940 e VEMD10940F offrono un ampio angolo di ±75° di metà intensità in una confezione compatta con vista laterale a montaggio superficiale di 3 x 2 x 1 mm.
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Qtà RoHS
Vishay Semiconductors Fotodiodi 1206 700 to 1070nm +/-70 deg
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Vishay Semiconductors Fotodiodi Sideview 870-1050nm +/-60 deg
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301A magazzino
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Vishay Semiconductors Fotodiodi Yoke 790 to 1050nm +/-15 deg
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926A magazzino
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 850nm,T-1.75 70mW/sr,+/-22deg.
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1.319A magazzino
4.00025/02/2026 previsto
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 890nm, SMD 5mW/sr, +/-17deg.
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942A magazzino
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Vishay Semiconductors Fotodiodi Reverse gullwing 350-1120nm +/-15 deg
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3.304A magazzino
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 940nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.
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11.86311/02/2026 previsto
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 940nm, SMD 70mW/sr, +/-7deg.
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12.00020/03/2026 previsto
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi SurflightVCSEL 850nm 35mW/sr, +/-28deg.
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5.99713/03/2026 previsto
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 890nm, T-1.75 700mW/sr, +/-22deg.
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi HIGH SPEED IR EMITTING DIODE 850NM - E4
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5.98003/03/2026 previsto
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 850nm, T-1.75 180mW/sr, +/-10deg.
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Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 940nm, SMD 11mW/sr, +/-12deg.
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