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SIZF300DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZF300DT-T1-GE3
Price: 1.63 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

78-SIZF300DT-T1-GE3

N. produttore:

SIZF300DT-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

SIZF300DT-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,63 €	1,63 €
	1,08 €	10,80 €
	0,792 €	79,20 €
	0,649 €	324,50 €
	0,568 €	568,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,469 €	1.407,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAIR3x3-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	75 A, 141 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.5 mOhms, 1.84 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V, 1.1 V
Qg - Carica del gate:	22 nC, 62 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	74 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	7 ns, 12 ns
Transconduttanza diretta - Min:	60 S, 90 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	40 ns, 53 ns
Serie:	SIZ
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns, 30 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns, 25 ns
Peso unità:	143,050 mg

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.