IGBT TRENCHSTOP™ 600 V e 1200 V

Attraverso la combinazione di una struttura Field Stop e della tecnologia trench top-cell, gli IGBT TRENCHSTOP™ da 600 V e 1200 V Infineon migliorano le prestazioni statiche e dinamiche. L'abbinamento dell'IGBT con un diodo controllato da emettitore a recupero graduale riduce al minimo le perdite di accensione. L'equilibrio tra perdite di commutazione e di conduzione assicura un miglioramento dell'efficienza.
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
1.20008/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
48017/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Scheda dati
Tempo di consegna 36 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube