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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi IGBTs 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Scheda dati
470A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 1.2 kV 2.25 V - 20 V, 20 V 105 A 635 W - 55 C + 175 C FGY60T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 60A UFS
Scheda dati
282A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 25 V, 25 V 120 A 517 W - 55 C + 175 C FGY60T120SQDN Tube