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NJVMJD45H11G

Name: onsemi NJVMJD45H11G
Brand: onsemi
SKU: 863-NJVMJD45H11G
Price: 1.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NJVMJD45H11G

N. produttore:

NJVMJD45H11G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Scheda dati:

NJVMJD45H11G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,17 €	1,17 €
	1,05 €	10,50 €
	0,458 €	34,35 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

NJVMJD45H11T4G-VF01

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,31 €

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	PNP
Configurazione:	Single
Corrente CC massima collettore:	8 A
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	80 V
Tensione emettitore-base VEBO:	5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1 V
Pd - Dissipazione di potenza:	20 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	90 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Qualifica:	AEC-Q101
Serie:	MJD45H11
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	VN
Paese di diffusione:	MY
Paese di origine:	MY
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	75
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	350 mg

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Scheda dati

NJVMJD45H11G Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor

onsemi NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor (BJT) is a fast switching device with low collector-emitter saturation voltage. The electrical characteristics of NJVMJD45H11G transistor include 8A current, 80V voltage, and 20W power. This transistor is electrically similar to D44H/D45H series. onsemi NJVMJD45H11G is available in a straight lead version in plastic sleeves along with complementary pairs to simplify designs. This transistor is used for general-purpose power and switching devices. The applications include switching regulators, converters, and power amplifiers.