Stadio di potenza a mezzo ponte GaN da 80 V LMG5200
Lo stadio di potenza a mezzo ponte GaN da 80 V LMG5200 di Texas Instruments offre una soluzione a stadio di potenza integrato utilizzando FET al nitruro di gallio (GaN) ad arricchimento. Il dispositivo è costituito da due FET GaN da 80 V guidati da un driver FET GaN ad alta frequenza in una configurazione a mezzo ponte. I FET GaN offrono vantaggi significativi per la conversione di potenza, in quanto vantano un recupero inverso quasi nullo e capacità di ingresso CISS molto ridotta. Tutti i dispositivi sono montati su una piattaforma con un formato completamente privo di wire-bonding e minimi elementi parassiti del pacchetto stesso. Gli ingressi compatibili di logica TTL possono resistere a tensioni d'ingresso fino a 12 V indipendentemente dalla tensione VCC. La tecnica brevettata di blocco della tensione di bootstrap assicura che le tensioni di gate dei FET GaN ad arricchimento rientrino in una gamma operativa sicura.
