MOSFET per piccoli segnali RV8L002SN e RV8C010UN

I MOSFET per piccoli segnali RV8L002SN e RV8C010UN di ROHM Semiconductor presentano un package ultra-piccolo senza piombo e un pad drain esposto per un'eccellente conduzione termica. I MOSFET RV8L002SN e RV8C010UN offrono anche una commutazione molto rapida, un drive a tensione ultra-bassa di 2,5 V e una protezione ESD fino a 2 kV.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
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7.726A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
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8.00022/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape