Dispositivi MOSFET per il settore automobilistico a piccolo segnale

I dispositivi MOSFET per piccoli segnali automobilistici Toshiba sono MOSFET di semi-potenza a corpo compatto qualificati AEC-Q101. I dispositivi supportano una vasta gamma di applicazioni automobilistiche per sistemi a batteria da 12 V a 48 V, tra cui interruttori di carico della linea di alimentazione, fari LED e circuiti di bilanciamento delle celle BMS. SOT-23F è un package brevettato a conduttori piatti Toshiba in contrapposizione al package esistente a conduttori ad ala di gabbiano SOT-23. Ciò migliora la dissipazione termica attraverso una maggiore area di contatto del dissipatore di calore tra il package e la scheda del circuito stampato (PCB). Poiché la qualità e l'affidabilità del montaggio in ambienti termici difficili sono una preoccupazione consueta per i pacchetti a conduttori piatti, i requisiti di ciclo termico per le applicazioni automobilistiche sono stati soddisfatti. I dispositivi mantengono inoltre la compatibilità dell'ingombro con il package SOT-23 precedente. Combinando sofisticate tecniche di elaborazione e imballaggio dei wafer, SSM3K341R e SSM3K361R nel package SOT-23F vanta RDS(ON) leader del settore rispettivamente di 36 mΩ e 65 mΩ (@VGS=4,5 V). La bassa resistenza in conduzione consente una riduzione delle dimensioni dell'applicazione, riducendo al contempo le perdite di energia. Inoltre, entrambi i dispositivi supportano una temperatura massima del canale di +175 °C e possono essere ampiamente utilizzati in applicazioni automobilistiche in cui l'ambiente operativo è esigente.

Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Toshiba MOSFET P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 90.668A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8.859A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3.670A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET 20.568A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 7.430A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 14.162A magazzino
36.00019/06/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 49A magazzino
9.00016/06/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 8.374A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4.824A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
108.00015/06/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel