TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 35.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

508-TM3B0020120

N. produttore:

TM3B0020120A

Produttore:

Coherent

Descrizione:

MOSFET SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Scheda dati:

TM3B0020120A Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Coherent
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	115 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	24.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.8 V
Qg - Carica del gate:	172 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 200 C
Pd - Dissipazione di potenza:	660 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Coherent
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 ns
Transconduttanza diretta - Min:	30 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	39 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	38 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns

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Scheda dati

TM3B0020120A Scheda dati (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.