MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N

I MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N Vishay sono MOSFET di potenza Gen IV TrenchFET® con una cifra di merito (FOM) RDS Qg molto bassa. I dispositivi sono regolati per il FOM RDS - Qoss più basso con una funzione di raffreddamento sul lato superiore che fornisce una sede aggiuntiva per i trasferimenti termici. I MOSFET sono testati al 100% Rg e UIS.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Scheda dati
30.772A magazzino
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Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Scheda dati
10.175A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
Scheda dati
11.425A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel