LMG2652RFBR

Texas Instruments
595-LMG2652RFBR
LMG2652RFBR

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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7,37 € 1.842,50 €
6,73 € 3.365,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
GaN FETs
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-19
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
Non-Inverting
30 ns
23 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Texas Instruments
Kit di sviluppo: LMG2652EVM-101
Tensione di ingresso - Max: 26 V
Tensione di ingresso - Min.: 10 V
Ritardo di spegnimento massimo: 55 ns
Ritardo di accensione massimo: 45 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 6.1 A
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 140 mOhms
Spegnimento: No Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2652 650 V 140 mΩ GaN Power-FET a semiponte

Il GaN Power-FET Half-Bridge LMG2652 650 V 140 mΩ di Texas Instruments semplifica la progettazione, riduce il conteggio componente e riduce lo spazio scheda. Questa semplificazione è ottenuta integrando i FET di potenza a ponte, i driver di porta, il diodo di avvio e lo spostamento di livello del gate drive laterale in un package QFN di 6 mm per 8 mm. L'emulazione di rilevamento corrente a valle riduce la dissipazione di potenza rispetto al resistore di rilevamento corrente tradizionale. Consente il collegamento del pad termico a valle alla messa a terra di alimentazione della PCB di raffreddamento.