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LMG2652RFBR

Name: Texas Instruments LMG2652RFBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2652RFBR
Price: 11.46 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LMG2652RFBR

N. produttore:

LMG2652RFBR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

LMG2652RFBR Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	11,46 €	11,46 €
	9,32 €	93,20 €
	8,89 €	222,25 €
	7,71 €	771,00 €
	7,37 €	1.842,50 €
	6,73 €	3.365,00 €
	6,56 €	6.560,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	5,58 €	11.160,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	GaN FETs
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VQFN-19
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	26 V
Configurazione:	Non-Inverting
Tempo di salita:	30 ns
Tempo di caduta:	23 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Kit di sviluppo:	LMG2652EVM-101
Tensione di ingresso - Max:	26 V
Tensione di ingresso - Min.:	10 V
Ritardo di spegnimento massimo:	55 ns
Ritardo di accensione massimo:	45 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	6.1 A
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	140 mOhms
Spegnimento:	No Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2652 650 V 140 mΩ GaN Power-FET a semiponte

Il GaN Power-FET Half-Bridge LMG2652 650 V 140 mΩ di Texas Instruments semplifica la progettazione, riduce il conteggio componente e riduce lo spazio scheda. Questa semplificazione è ottenuta integrando i FET di potenza a ponte, i driver di porta, il diodo di avvio e lo spostamento di livello del gate drive laterale in un package QFN di 6 mm per 8 mm. L'emulazione di rilevamento corrente a valle riduce la dissipazione di potenza rispetto al resistore di rilevamento corrente tradizionale. Consente il collegamento del pad termico a valle alla messa a terra di alimentazione della PCB di raffreddamento.